長飛超貝 ?OM2+ 彎曲不敏感多模光纖滿足或優(yōu)于 ISO/IEC 11801-1 OM2 規(guī)范,IEC 60793-2-10 A1-OM2 規(guī)范和 TIA-492AAAF A1-OM2規(guī)范。
長 飛 超 貝 ?OM3/OM4 彎 曲 不 敏 感 多 模 光 纖 滿 足 或 優(yōu) 于 ISO/IEC 11801-1 OM3/OM4 規(guī) 范, IEC60793-2-10 A1-OM3和 A1-OM4規(guī)范和 TIA-492AAAF A1-OM3和 A1-OM4規(guī)范。
特性 |
優(yōu)勢和應用 |
---|---|
|
|
|
|
|
|
特性 |
條件 |
數據 |
單位 |
---|---|---|---|
幾何特性 |
|||
芯直徑 |
-- |
50±2.5 |
[μm] |
芯不圓度 |
-- |
≤5.0 |
[%] |
包層直徑 |
-- |
125.0±1.0 |
[μm] |
包層不圓度 |
-- |
≤0.6 |
[%] |
涂層直徑 |
-- |
245±7 |
[μm] |
涂層/包層同心度 |
-- |
≤10.0 |
[μm] |
涂層不圓度 |
-- |
≤6.0 |
[%] |
芯層/包層同心度 |
-- |
≤1.0 |
[μm] |
光纖長度 |
-- |
最長到8.8 |
[km/盤] |
光學特性 |
|||
衰減 |
850nm |
≤2.4 |
[dB/km] |
1300nm |
≤0.6 |
[dB/km] |
|
-- |
-- |
超貝? OM2+/ OM3/OM4彎曲不敏感 |
-- |
滿注入帶寬 |
850nm |
≥700/≥1500/≥3500 |
[MHz·km] |
1300nm |
≥500/≥500/≥500 |
[MHz·km] |
|
有效模式帶寬 |
850nm |
≥950/≥2000/≥4700 |
[MHz·km] |
鏈路長度 |
-- |
-- |
-- |
40GBASE-SR4 / 100GBASE-SR101 |
850nm |
-/140/170 |
[m] |
10GBASE-SR |
850nm |
150/300/550 |
[m] |
1000BASE-SR |
850nm |
750/1000/1100 |
[m] |
差分模時延DMD |
滿足或優(yōu)于IEC 60793-2-10規(guī)范 |
-- |
-- |
數值孔徑 |
-- |
0.200±0.015 |
-- |
群折射率 |
850nm |
1.482 |
-- |
1300nm |
1.477 |
-- |
|
零色散波長 |
-- |
1295-1340 |
[nm] |
零色散斜率 |
1295nm≤λ0≤1310nm |
≤0.105 |
[ps/(nm2·km)] |
1310nm≤λ0≤1340nm |
≤0.000375(1590-λ0) |
[ps/(nm2·km)] |
|
宏彎損耗2 |
-- |
-- |
-- |
2圈,半徑15mm |
850nm |
≤0.1 |
[dB] |
1300nm |
≤0.3 |
[dB] |
|
2圈,半徑7.5mm |
850nm |
≤0.2 |
[dB] |
1300nm |
≤0.5 |
[dB] |
|
背向散射特性1300nm |
|||
臺階(雙向測量的平均值) |
-- |
≤0.10 |
[dB] |
長度方向的不規(guī)律性和點不連續(xù)性 |
-- |
≤0.10 |
[dB] |
衰減不均勻性 |
-- |
≤0.08 |
[dB/km] |
環(huán)境特性? 850nm和1300nm |
|||
溫度附加衰減 |
-60℃ 到85℃ |
≤0.10 |
[dB/km] |
溫度-濕度循環(huán)附加衰減 |
-10℃?到85℃,4%到98%?相對濕度 |
≤0.10 |
[dB/km] |
浸水附加衰減 |
23℃, 30 天 |
≤0.10 |
[dB/km] |
干熱附加衰減 |
85℃,30天 |
≤0.10 |
[dB/km] |
濕熱附加衰減 |
85℃和85%相對濕度,30天 |
≤0.10 |
[dB/km] |
機械特性 |
|||
篩選張力 |
-- |
≥9.0 |
[N] |
-- |
≥1.0 |
[%] |
|
-- |
≥100 |
[kpsi] |
|
涂層剝離力 |
典型平均剝離力 |
1.5 |
[N] |
峰值力 |
≥1.3,≤8.9 |
[N] |
|
動態(tài)疲勞參數(nd, 典型值) |
-- |
20 |
-- |
備注: 1、光纜在850?nm的最大衰減為3.0?dB/km、熔接/連接器的最大總損耗為1.0?dB以及VCSEL的最大均方根譜寬≤?0.45?nm情況下的支持距離。
? ? ? ? ? ?2、宏彎損耗測試的注入條件需滿足IEC 61280-4-1標準。